浙江大学科技创新的浪潮再掀新篇章，其下属的先进半导体研究院与杭州乾晶半导体合作，在宽禁带半导体领域取得重大进展。他们不仅成功实现了8英寸n型碳化硅单晶的生长，厚度达到了27毫米，而且还打造了相应的衬底片，从而自豪地加入了8英寸碳化硅的精英行列。

追溯至去年7月，该研究院已经在6英寸碳化硅单晶的生长上取得了令人瞩目的成就，厚度高达50毫米，这一尺寸在当前业界属于佼佼者。

该研究院聚焦于宽禁带半导体材料的研发和产业化，以及功率芯片的研究，致力于突破关键技术瓶颈，助力解决半导体产业中的难题，提升国家在该领域的竞争力。它已成为浙江省功率半导体材料与器件重点实验室，也是国内唯一的全方位开放宽禁带半导体科研平台。

研究院由杨德仁院士领衔，设有多个专业实验室，截至2022年11月10日，共有师生240人。研究内容包括但不限于碳化硅单晶生长、晶圆加工、外延薄膜生长、氧化镓单晶研发等，涵盖了半导体材料生长、加工和模拟计算的全方位研究。

值得一提的是，该研究院已掌握了多种半导体晶体生长的核心技术，并已申请了多项专利，其中多项已获得授权。此外，研究院还承担了多个重点研发项目，持续推动高质量半导体材料的研发进程。