浙江大学科技创新的浪潮再掀新篇章，其下属的先进半导体研究院与杭州乾晶半导体合作，在宽禁带半导体领域取得重大进展。他们不仅成功实现了8英寸n型碳化硅单晶的生长，厚度达到了27毫米，而且还打造了相应的衬底片，从而自豪地加入了8英寸碳化硅的精英行列。追溯至去年7...